스(000660) 2024년(제77기) 사업보고서 종합 정리
공시 접수일: 2025.03.19 / 보고서 기준일: 2024.12.31 / 작성책임자: 재무 담당 김우현
1) 회사 개요·지배구조 변화
1-1. 회사의 법적·운영 개요
- 회사명: 에스케이하이닉스 주식회사 (SK hynix Inc.)
- 설립일: 1949년 10월 15일 (1996년 한국거래소 상장)
- 본사: 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091 / 사무소: 경기도 성남시 등
- 결산월: 12월
- 주요 사업: DRAM, NAND Flash, MCP(Multi-chip Package) 등 메모리 반도체 제조·판매, Foundry 서비스 병행
- 업종 분류: 한국표준산업분류상 '반도체 및 기타 전자 부품 제조업'
1-2. 글로벌 생산·판매 거점
| 구분 | 거점 |
|---|---|
| 본사·생산 | 경기도 이천시 (본사 거점) |
| 국내 생산 | 충청북도 청주시 (M15X) |
| 해외 생산 | 중국 우시(Wuxi), 충칭(Chongqing), 다롄(Dalian) |
| R&D 거점 | 3개 연구개발 거점 |
| 해외 판매법인·사무소 | 미국, 중국, 싱가포르, 대만, 홍콩 |
운영 방식: 4조 3교대, 2024년 누적 총 가동일 366일(공휴일 포함), 월 평균 가동시간 21,408,804시간, 평균 가동률 100% (가동가능시간 256,905,648시간).
1-3. 주요 주주·지배구조 변동 타임라인
| 시기 | 내용 |
|---|---|
| 2020.10 | 인텔 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 전체 영업양수 결정 |
| 2021.10 | (주)키파운드리 지분 100% 매그너스 반도체 유한회사로부터 취득 결정 |
| 2021.11 | 최대주주 변경: 에스케이텔레콤㈜ → 에스케이스퀘어㈜ |
| 2021.12 | 인텔 NSG NAND 사업부문 1단계 인수 완료 |
| 2022.08 | 키파운드리 인수 완료 (2024.01.01부로 사명 변경: 에스케이키파운드리㈜) |
| 2025.05(예정) | 인텔 NAND사업부 인수 2차 종결(Intel Semiconductor Storage Technology (Dalian) Ltd.의 법적소유권 이전) |
1-4. 이사회 구성 변동
- 2020.03: 이사 4인 선임 (이석희, 박정호, 신창환, 한애라, 하영구 등)
- 2021.03: 이사 4인 선임 (박정호, 송호근, 조현재, 윤태화)
- 2022.03: 이사 3인 선임 (곽노정, 노종원, 하영구)
- 2023.03: 이사 4인 선임 (한애라, 김정원, 정덕균, 박성하)
- 2024.03: 이사 4인 선임 (사내이사 안현, 사외이사 손현철·양동훈, 기타비상무이사 장용호, 감사위원 양동훈)
1-5. 사업부문·업종 변동
- CIS(CMOS Image Sensor) 사업부문: 2007년 출범 → 2025년 3월 AI 메모리 분야로 전환 결정
- 공시대상기간(제77기) 중 정관상 사업목적의 변경·추가 없음
2) 사업 모델·주요 제품/서비스
2-1. 주력 사업 포트폴리오
| 사업부문 | 주요 제품 | 구체적 용도 | 주요 상표 |
|---|---|---|---|
| 반도체 (단일부문) | DRAM, NAND Flash 등 | 산업용 전자기기 | SK하이닉스 |
반도체 부문의 매출이 총매출액의 90%를 초과하여 반도체 단일 부문으로 공시 (제77기 매출 비중 100.0%)
2-2. 제품 카테고리별 역할
- 메모리 반도체: 정보를 저장·기억하는 기능, 휘발성(DRAM)·비휘발성(NAND) 분류
- DRAM: 컴퓨터 메인 메모리, 그래픽 메모리, AI 서버, 데이터센터, 스마트 TV, 가전
- NAND Flash: 순차적 비휘발성 메모리, USB/SSD/차량/디지털카메라/스마트폰/태블릿/데이터센터
- Foundry: 병행 영위 (에스케이키파운드리㈜)
- HBM, CXL, PIM 등: AI 메모리 고부가가치 영역으로 확대
2-3. 판매 채널·전략
판매 조직: 국내 GSM 영업 관할 대리점 + 해외(미국·중국·싱가포르·대만·홍콩) 판매법인 및 산하 대리점
판매 경로: ① 직판거래(실수요자 직접 판매) ② 대리점 거래
판매 방법 및 조건:
- 내수: 어음·현금 결제
- 수출: MASTER L/C, LOCAL L/C, D/A, D/P 거래
4대 판매 전략:
1. 비즈니스 포트폴리오 최적화 (매출 다변화)
2. 수익 구조 개선 (고부가가치 제품 확대, 시장 통찰력 강화)
3. 고객 관계 유지 (맞춤형 제품, 고객 가치 제안)
4. 지역별 포지셔닝 (차별화된 제품 전략)
고객 구조:
- DRAM: 글로벌 Server 공급업체 및 Computing 전자업체
- NAND: 모바일 디바이스·IT 제조사, SSD·메모리카드 생산 업체
2-4. 가격 변동 추이
2024년 시장 특징:
- AI 서버·클라우드 컴퓨팅 발전 → 고성능 메모리 수요 증가
- HBM, DDR5 등 신규 기술 도입 → 전반적 업황 개선
- DRAM: 생성형 AI 부상 → HBM 수요 확대 견인
- NAND: AI 데이터센터 → 고용량 기업용(e)SSD 중심 개선
3) 매출·수주·부문별 매출
3-1. 연결 매출액 추이 (K-IFRS)
| 구분 | 제77기 (2024) | 제76기 (2023) | 제75기 (2022) |
|---|---|---|---|
| 매출액 (백만원) | 66,192,960 | 32,765,719 | 44,621,568 |
| 전기 대비 증감율 | +102.0% | -26.6% | - |
| 영업이익 (백만원) | 23,467,319 | -7,730,313 | (역성장) |
| 영업손익 변동 | 흑자전환 | - | - |
| 당기순이익 (백만원) | 19,796,902 | -9,137,547 | (역성장) |
※ 제77기 연결 매출 역대 최대치 66.2조원, 영업이익 23.5조원
3-2. 사업부문별 매출 (제77기)
| 사업부문 | 매출유형 | 품목 | 구체적용도 | 매출액 (백만원) | 비율 |
|---|---|---|---|---|---|
| 반도체 | 제품 외 | DRAM, NAND Flash 등 | 산업용 전자기기 | 66,192,960 | 100% |
| 합계 | 66,192,960 | 100% |
3-3. 수주상황
- 주요 고객사와 월별/분기별 상호 합의에 따른 공급 물량·가격 결정
- 장기공급계약에 따른 수주 현황: 없음
3-4. 시장점유율 (IDC 2024.12 기준, 매출액 기준)
| 시점 | 시장점유율 |
|---|---|
| 2024년 3분기 | 19.2% |
| 2024년 2분기 | 19.7% |
| 2024년 1분기 | (2023년 19.0%로부터 변동) |
3-5. 광학공시 전세계 산업 통계 (Gartner 2024.12)
| 구분 | 2024 | 2023 | 2022 |
|---|---|---|---|
| 세계 반도체 시장 | US$6,260억 | US$5,300억(추정) | US$5,600억(추정) |
| 메모리 시장 | US$1,579억 (25%) | - | - |
| DRAM | US$875억 (메모리 중 55%) | US$499억 | US$787억 |
| NAND | US$651억 (메모리 중 41%) | US$371억 | US$579억 |
| 기타 메모리 | US$53억 (메모리 중 3%) | - | - |
2024년 성장률: 반도체 시장 +18.1%, 메모리 시장 +71.8%, DRAM +75.4%, NAND +75.7%
4) 원가·마진·R&D·인력
4-1. 손익구조 (연결)
| 항목 (백만원) | 제77기 (2024) | 제76기 (2023) | 제75기 (2022) |
|---|---|---|---|
| 매출액 | 66,192,960 | 32,765,719 | 44,621,568 |
| 매출원가 | 34,364,814 | 33,299,167 | 28,993,713 |
| 매출총이익 | 31,828,146 | -533,448 | 15,627,855 |
| 판관비 | 8,360,827 | 7,196,865 | 8,818,438 |
| 영업이익(손실) | 23,467,319 | -7,730,313 | 6,809,417 |
| 금융수익 | 4,855,082 | 2,261,801 | 3,714,278 |
| 지분법손익 | -38,245 | 15,061 | 131,186 |
| 법인세차감전순이익 | 23,885,350 | -11,657,816 | 4,002,780 |
| 당기순이익(손실) | 19,796,902 | -9,137,547 | 2,241,669 |
| 기본 주당이익 | 28,732원 | -13,244원 | 3,242원 |
4-2. 별도 손익구조 (K-IFRS)
| 항목 (백만원) | 제77기 | 제76기 | 제75기 |
|---|---|---|---|
| 매출액 | 55,736,287 | 27,639,997 | 37,878,699 |
| 영업이익(손실) | 21,331,452 | -4,672,124 | 7,660,947 |
| 당기순이익(손실) | 17,640,396 | -4,836,170 | 2,790,457 |
| 기본 주당순이익 | 25,613원 | -7,029원 | 4,058원 |
4-3. 원재료 투입 (제77기)
| 매입유형 | 투입액 (백만원) | 비율 | 비고 |
|---|---|---|---|
| WAFER (Fab) | 948,808 | 7% | - |
| Lead Frame & Substrate | (기재) | - | - |
공급망 안정성:
- Wafer: 일본·한국·독일·미국 300mm 웨이퍼 완제품 공급. 단기 단가 상승세 둔화 전망
- Substrate: 한국·일본·중국 9개사. 전 세계 50여개 공급사, 품질·Capacity 기준 선정
- PCB: 한국·중화권(중국·대만) 6개사. 동남아 생산거점 다변화 진행
4-4. R&D 투자 현황
| 과목 (백만원) | 제77기 (2024) | 제76기 (2023) | 제75기 (2022) |
|---|---|---|---|
| 원재료비 | 104,687 | 100,174 | 123,839 |
| 인건비 | 1,612,207 | 2,535,473 | (기재) |
| R&D 비용 합계 | 4,954,447 | 4,188,404 | 4,905,334 |
| - 연구개발비(비용) | 4,536,723 | 3,837,907 | 4,576,383 |
| - 개발비(무형자산) | 417,724 | 350,497 | 328,951 |
| R&D / 매출액 비율 | 7.5% | 12.8% | 11.0% |
4-5. 주요 R&D 실적 (2024)
| 분야 | 연구과제 | 핵심 효과 |
|---|---|---|
| 서버 DRAM | 1cnm DDR5 (10나노 6세대) | 6세대 16Gb DDR5 개발 완료, 1b 대비 생산성 30%↑, 동작속도 8Gbps(+11%), 전력효율 9%↑, 데이터센터 전력비용 30% 절감 기대 |
| 모바일 DRAM | GDDR7 | 32Gbps 동작속도(+60%), 최대 40Gbps, 전력효율 50%↑, FHD 300편/1초 처리 |
| 모바일 DRAM | 1bnm LPDDR5X | 10.7Gbps(+10%), 전력효율 15%↓, SOCAMM·LPCAMM 신규 Form Factor |
| 모바일 NAND | ZUFS 4.0 | 온디바이스 AI용 업계 최고 성능, 향후 온디바이스 AI 스마트폰 탑재 |
| HBM DRAM | HBM3E | 세계 최초 양산, 1.18TB/s 이상, MR-MUF 공정으로 열방출 10%↑ |
| PC SSD | PCB01 | PCIe 5세대, 14GB/s 읽기·12GB/s 쓰기, 전력효율 30%↑ |
| 4D NAND | 321단 1Tb TLC | 238단 대비 생산성 59%↑, 에너지 10%↓ |
| 서버 CMM | CMM-DDR | 1anm 24Gb DDR5 96GB, CXL 2.0+ Spec 지원 |
| eSSD | PS1012 | AI 데이터센터용 QLC 61TB, PCIe 5세대, 32GT/s, 순차읽기 13GB/s |
4-6. 누적 R&D 이정표 (주요 마일스톤)
- 2020.06: 세계 최초 2세대 10나노급 DDR5 DRAM 출시
- 2020.11: RE100 가입 / 업계 최대 18Gb LPDDR5 모바일 DRAM 양산
- 2021.04: 128단 4D NAND 기반 PCIe Gen4 eSSD 양산
- 2021.07: EUV 4세대 10나노급 8Gb LPDDR4 모바일 DRAM 양산 / 업계 최초 HBM3 개발 / 24Gb DDR5 샘플
- 2022.02: 차세대 PIM 개발
- 2022.04: P5530 SSD 출시 (128단 NAND + Solidigm 컨트롤러)
- 2022.06: HBM3 양산 / 238단 4D NAND 개발
- 2022.12: HBM3E 개발
- 2023.11: LPDDR5T 16GB 상용화 / HBM3E 세계 최초 양산
- 2024.04: 청주 M15X Fab 결정
- 2024.05: ZUFS 4.0 개발
4-7. 지식재산권
- 2024.12.31 기준 지식재산권 보유: 20,096건
- 조직: 전담 조직 운영 (출원/등록, 사후관리, 분쟁 대응)
- 특허권 존속기간: 출원일로부터 20년 / 상표권: 등록일로부터 10년(갱신 가능)
5) 리스크·소송·규제·임상/허가
5-1. 시장위험
(1) 환율변동위험
- 노출 통화: USD, EUR, CNY, JPY
- 매출 90% 이상이 USD 발생 → USD 수입이 지출보다 많은 구조 (자연적 헤지 구조)
- 환율 10% 변동 시 법인세차감전순이익 영향: 10% 상승/하락 시 민감도 분석 공시
- 환위험 관리: 환위험 관리규정, 전담 인원, 선물환 등 외부적 관리기법 일부 활용
(2) 가격위험
- 지분증권·채무증권 투자에 따른 시장가격 변동 노출
(3) 이자율위험
- 외화사채 및 차입금 환위험 회피 → 통화스왑·통화이자율스왑 계약 체결
(4) 위험관리조직
- 주관부서: ① 외환관리정책/전략 확정 ② 규정 제·개정 ③ 외환 거래 ④ 리스크 측정·분석 ⑤ 노촐관리 ⑥ 시장 모니터링 ⑦ 이사회·감사위원회 지시 이행
5-2. 파생상품 거래
(1) 통화스왑·이자율스왑
- 차입일: 2024.03.07 ~ 2027.10.18
- 당기 중 기타포괄손익에서 당기손익으로 재분류: 249,435백만원 (전기: 123,197백만원)
- 파생금융부채 합계: 6,434백만원
(2) 내재파생상품
- 2023.04.11 발행 교환사채의 교환권·콜옵션·풋옵션
- 파생금융부채: 1,738,962백만원 (전기말 대비 변동)
5-3. 규제사항
(1) 국가핵심기술·전략기술 해외 이전
- 산업 기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 제11조
- 국가첨단전략산업 경쟁력 강화 및 보호에 관한 특별조치법 제12조
- → 반도체 기술 해외 이전 시 산업통상자원부 승인·신고 의무
(2) 환경규제
- 온실가스 배출권거래제 참여 (2015년~)
- 2014.09.12 배출권 할당대상업체 지정
- 2024년 온실가스 예상 배출량: 4,860,000 tCO2e
(3) 환경경영 인증
- ISO 45001 (안전보건), ISO 14001 (환경), KOSHA MS
- 국내 사업장: 2022년 ZWTL Platinum (재활용률 100%) / 2024년 재인증
- 해외 (중국 우시): 2023년 Platinum / 2024년 재인증
- 중국 충칭: 2024년 ZWTL Gold
- RE100 선언: 2050년까지 재생에너지 100%, 2030년 33% 중간목표
- 2024.02: 태양광 직접전력거래계약(PPA) 최초 체결
- 2024년 인증: 10나노 16Gb DDR5, 3D-V7 NAND 512Gb TLC 탄소발자국·물발자국 환경성적표지
- 2024년 카본트러스트: DRAM·NAND·SSD 10개 제품 저탄소·탄소발자국 인증
- HBM·eSSD: 자발적 탄소감축시장(VCM) 탄소감축 크레디트 인증
- 2024년 순환자원 인증 추가: 8개 품목 (2023년 10개)
5-4. 충당부채·소송
- 소송비용 등과 관련한 충당부채 계상 중 (주석 18 참조)
- 당기 중 특별한 대외 소송 결과는 본 발췌문에 별도 기재 없음
5-5. 기타 위험요인
- 미-중 무역 분쟁: 동남아 생산거점 다변화 추진
- 공급사 다변화: 웨이퍼·Substrate·PCB 다중 소스 확보
- 수요/공급 변동성: 메모리 산업 특성상 호황/불황 사이클 반복
- 장기공급계약 없음: 고객별 월별/분기별 합의로 공급량 결정
6) 자회사·관계사·투자
6-1. 연결대상 종속기업 (제77기 말)
| 종속기업 | 소재지 | 주요영업활동 | 지분율(%) |
|---|---|---|---|
| 에스케이하이이엔지㈜ | 국내 | 건설공사 및 서비스 | 100 |
| 에스케이하이스텍㈜ | 국내 | 사업지원 및 서비스 | 100 |
| 행복나래㈜ | 국내 | 산업자재 유통 | 100 |
| 에스케이하이닉스시스템아이씨㈜ | 국내 | 반도체 연구개발 및 서비스 | 100 |
| 에스케이키파운드리㈜ | 국내 | 반도체 판매 및 생산 | 100 |
| SK hynix America Inc. | 미국 | 반도체 판매 | 100 |
| Key Eye Investco S.à r.l. | 이탈리아 | 반도체 연구개발 | 100 |
| SK hynix memory solutions America Inc. | 미국 | - | 100 |
| SK hynix NAND Product Solutions Corp. | 미국 | - | 98.49 |
| SK hynix memory solutions Taiwan Ltd. | 대만 | - | 100 |
| SK hynix memory solutions Eastern Europe, LLC. | 벨라루스 | - | (청산 완료) |
| SK hynix (Wuxi) Investment Ltd. | 중국 | 해외투자법인 | 100 |
| SK hynix Semiconductor (China) Ltd. | 중국 | 해외법인 | 100 |
| SK hynix Happiness (Wuxi) Hospital Management Ltd. | 중국 | 해외병원자산법인 | 100 |
| SK hynix cleaning (Wuxi) Ltd. | 중국 | 해외병원운영법인 | 70 |
| SK hynix Asia Pte. Ltd. | 싱가포르 | 기업 건물 관리 등 | 100 |
| SK hynix Japan Inc. | 일본 | 반도체 판매 및 R&D | 100 |
| SK hynix NAND Product Solutions Taiwan Co., Ltd. | 대만 | 반도체 R&D 및 판매 | (주식선택권 행사) |
| SK hynix NAND Product Solutions Canada Ltd. | 캐나다 | - | (주식선택권 행사) |
| SK hynix NAND Product Solutions Mexico, S. DE R.L. DE C.V. | 멕시코 | - | (주식선택권 행사) |
| SK hynix Semiconductor (Dalian) Co., Ltd. | 중국 | 반도체 제조 | 100 |
| SK hynix system ic Poland sp. z o.o. | 폴란드 | - | 100 |
| SK hynix NAND Product Solutions (Beijing) Co., Ltd. | 중국 | - | (주식선택권 행사) |
| Intel Semiconductor Storage Technology (Dalian) Ltd. | 중국 | 반도체 생산 지원 | (인수 2차 종결 예정) |
| SK hynix system ic Wuxi solutions Inc. | 중국 | - | (지분매각으로 제외) |
| SK hynix system ic (Wuxi) Co., Ltd. | 중국 | - | (지분매각으로 제외) |
| Solidigm* | 미국 | - | 100 |
| MMT 특정금전신탁 | - | 특정금전신탁 | (연결회사수 제외) |
6-2. 주요 종속기업 재무상태 (제77기, 백만원)
| 종속기업 | 총자산 | 총부채 | 총자본 |
|---|---|---|---|
| 주요 종속기업 (집계) | 13,714,039 | (-)765,549 | - |
6-3. 주요 종속기업 손익 (백만원)
| 종속기업 | 매출액 | 당기순손익 |
|---|---|---|
| Solidigm 등 | 33,458,964 | 104,908 |
| SK hynix Asia Pte. Ltd. 등 | 12,541,884 | 82,105 |
| 기타 | 2,293,110 | - |
제77기말 현재 연결회사에 대한 중요한 비지배지분은 없음
6-4. 연결대상 변동내역 (제77기)
- 신규 편입: Intel Semiconductor Storage Technology (Dalian) Ltd. (인수 2차 종결 전이나 지배력 보유로 판단)
- 제외: SK hynix system ic (Wuxi) Co., Ltd. 및 자회사 (지분매각으로 지배력 상실)
- 합병: SK hynix NAND Product Solutions Taiwan Co., Ltd. → SK hynix Asia Pte. Ltd.에 합병
- 청산: SK hynix memory solutions Eastern Europe, LLC. (벨라루스)
- 사명변경: ㈜키파운드리 → 에스케이키파운드리㈜ (2024.01.01) / KEY FOUNDRY, INC. → SK KEY FOUNDRY, INC. / KEY FOUNDRY SHANGHAI CO., LTD. → SK Keyfoundry Shanghai Co., Ltd.
6-5. 주요 계약
| 계약 상대방 | 계약 유형 | 기간 | 목적·내용 |
|---|---|---|---|
| Rambus Inc. | 라이선스 계약 | 2013.07.01 ~ 2034.06.30 | 반도체 전 제품 기술 관련 Rambus 보유 특허 사용권 확보, 분쟁 가능성 해소 |
| Intel Corporation | 영업양수도 | 2020.10.20 체결 | Intel NAND 사업 영업양수, 계약금액 US$90억, 2차에 걸쳐 지급, 1단계 완료 (2021.12) / 2단계 종결은 2025년 예정 |
7) 전년 대비 핵심 변화 (Bullet)
7-1. 실적 측면
- 연결 매출액 32.8조 → 66.2조원 (+102.0%), 역대 최대치 경신
- 영업이익 -7.7조 → +23.5조원 (흑자전환)
- 당기순이익 -9.1조 → +19.8조원
- 별도 기준 매출액 27.6조 → 55.7조원, 영업이익 -4.7조 → +21.3조원
7-2. 사업 구조
- CIS(시스템 반도체) 사업부문: 2025년 3월 AI 메모리 분야로 사업 전환
- HBM 매출: 전년 대비 4.5배 이상 확대 (3월 HBM3E 8단 최초 공급, 4분기 12단 최초 공급)
- 엔터프라이즈 SSD 매출: 전년 대비 300% 이상 증가, NAND 흑자전환 + 연간 최대 매출·영업이익 달성
7-3. 기술·제품
- HBM3E 세계 최초 양산·납품 (2024.04) → AI memory 리더십 확보
- 1cnm (10나노 6세대) 16Gb DDR5 개발 완료 (EUV 적용 최적화, 1b 대비 생산성 30%↑)
- GDDR7 개발 완료 (32Gbps, 전력효율 50%↑)
- 321단 1Tb TLC 4D NAND 양산 돌입 (238단 대비 생산성 59%↑)
- 차세대 모바일 ZUFS 4.0 개발 (온디바이스 AI용)
- SOCAMM·LPCAMM 신규 Form Factor 적용 (LPDDR5X Server 진입)
- CMM-DDR 첫 DRAM Solution 출시 (96GB, CXL 2.0+)
- PS1012 eSSD QLC 61TB PCIe Gen5 (AI DC용)
7-4. 설비·생산
- 용인 M16: Phase 2 Fab 건설
- 청주 M15X: D램 신규 생산기지 결정 (2024.04)
- 가동률 100% 유지, 4조 3교대, 366일 가동
7-5. 재무·자본구조
- 유동자산 18.1조 → 42.3조원 (+)
- 재고자산 13.5조 → 13.3조원 (소폭 감소)
- 이익잉여금 46.7조 → 65.4조원 (+18.7조)
- 영업활동 현금흐름 4.3조 → 29.8조원
7-6. R&D
- R&D 비용: 4,188,404 → 4,954,447백만원 (+18.3%)
- R&D/매출 비율: 12.8% → 7.5% (매출 폭증에 따른 비율 하락, 절대액은 증가)
- 개발비(무형자산) 350,497 → 417,724백만원
7-7. 환경·지속가능경영
- 2024년 온실가스 예상 배출량: 4,860,000 tCO2e
- 태양광 직접전력거래계약(PPA) 최초 체결 (2024.02)
- CDP 탄소경영 명예의 전당 10년차 유지
- 환경성적표지·물발자국·탄소발자국 인증 확대 (10나노 16Gb DDR5, 3D-V7 NAND 512Gb TLC)
- 카본트러스트 10개 제품 인증 (DRAM·NAND·SSD)
- 국내·중국 우시 ZWTL Platinum, 중국 충칭 Gold 인증
7-8. 지배구조·조직
- 2024.03: 사내이사 안현 선임, 사외이사 손현철·양동훈·장용호 신규 선임
- 청산: SK hynix memory solutions Eastern Europe, LLC. (벨라루스)
- 합병: SK hynix NAND Product Solutions Taiwan → SK hynix Asia
- 지분매각: SK hynix system ic (Wuxi) 일동 연결 제외
- 사명변경: ㈱키파운드리 → 에스케이키파운드리 (2024.01.01)
7-9. 파생·환율
- 파생금융부채: 통화스왑 6,434백만원
- 내재파생상품(교환사채): 1,738,962백만원
- 기타포괄손익→당기손익 재분류: 249,435백만원 (전년 123,197백만원)
7-10. 리스크 및 기회 요인
- 기회: AI 수요 폭증으로 HBM/DDR5/Server DRAM 질적 성장, NAND 기업용 SSD 확대
- 리스크: 미-중 무역분쟁, 공급사 단가 변동, 환율 변동성, 사이클 노출, 장기공급계약 부재
8) 결론 및 시사점
SK하이닉스는 2024년 기준 '반도체 단일부문'으로 매출 66.2조원을 기록하며, AI 메모리(특히 HBM) 수요 확대에 힘입어 적자에서 최대 흑자로 반전한 해임. 사상 최대 매출·영업이익 갱신, R&D 절대액 증가(7.5% 매출비율), 기술 리더십 강화(HBM3E·1cnm DDR5·GDDR7·321단 NAND), 그리고 Foundry·CIS 사업 재편을 통한 AI 메모리 집중 전략이 두드러짐. 2025년 5월 인텔 NAND 2차 인수 종결, 청주 M15X 신규 Fab, 그리고 CIS → AI 메모리 전환이 향후 수익구조 재편의 핵심 변수가 될 전망. 다만 장기공급계약 부재, 환율·공급망·기술수출 규제 등 외부 리스크 요인 상시 관리 필요.