SK하이닉스(000660) 2025년(제78기) 사업보고서 분석
본 보고서는 SK하이닉스 주식회사(에스케이하이닉스)의 2025년 12월 31일 기준 사업보고서(접수번호 20260317000635, 접수일 2026.03.17) 원문에 근거하여 작성되었습니다.
1. 회사 개요·지배구조 변화
1-1. 회사 일반 현황
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 법인명 | 에스케이하이닉스 주식회사 |
| 종목코드 | 000660 |
| 설립일 | 1949년 10월 15일 |
| 상장일 | 1996년 (한국거래소) |
| 본사 | 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091 |
| 결산월 | 12월 |
| 주업종 | 메모리반도체 제조 및 판매업 |
| 작성책임자 | 김우현 재무 부문장 (031-5185-4114) |
| 중견기업 해당 여부 | 미해당 |
1-2. 사업목적
정관상 영위 목적사업은 반도체소자 제조 및 판매를 주업으로, 반도체 관련 기계·기구 및 부품 제조, 컴퓨터용 소프트웨어 개발, 전자·전기·통신기계·기구 제작 및 판매, 무역업, 부동산 매매 및 임대업, 발전업, 건설업 등을 포함합니다. 공시대상기간 중 정관상 사업목적의 변경·추가는 없었습니다.
1-3. 지배구조·주요 변동
- 2021.11 최대주주 변경: ㈜에스케이텔레콤 → ㈜에스케이스퀘어
- 2021.12 주식회사 키파운드리 지분 100% 취득 결정 (매그너스 반도체 유한회사로부터)
- 2022.08 인텔社 NAND 사업부문(옵테인 사업부 제외) 1단계 인수 완료
- 2025.03.28 인텔 社 NAND 사업부문 인수 최종 완료 (2차 계약 금액 최종 지급 종결)
- 2025.03 키파운드리 지분 100% 인수 완료
- 2007년 출범한 CIS 사업부문을 2025년 3월 AI 메모리 분야로 전환 결정
1-4. 이사회 변동 (최근 5년)
| 시기 | 선임 내용 |
|---|---|
| 2021.03 | 박정호(사내), 송호근·조현재·윤태화(사외, 윤태화는 감사위원) |
| 2022.03 | 곽노정·노종정(사내), 하영구(사외, 감사위원) |
| 2023.03 | 한애라·김정원·정덕균(사외, 한애라·김정원 감사위원), 박성하(기타비상무) |
| 2024.03 | 안현(사내), 손현철·양동훈(사외, 양동훈 감사위원), 장용호(기타비상무), 곽노정(사내), 한명진(기타비상무) |
1-5. 신용등급
- 공시 제출일 현재의 신용등급 표는 제공되었으나, 원문상 실제 부여받은 등급과 평가기관의 구체적 표가 결손(가려짐) 상태로, 본 보고서에서는 원문 그대로의 정확한 등급을 특정할 수 없습니다(추정 기재).
2. 사업 모델·주요 제품/서비스
2-1. 글로벌 사업장 구성
- 생산기지 4개: 경기도 이천(본사), 충청북도 청주, 중국 우시(Wuxi)·충칭(Chongqing)·다롄(Dalian) — 다롄은 인수 후 SK hynix semiconductor storage technology (Dalian) Co., Ltd.로 사명 변경
- 연구개발법인 3개: 한국 본사 연구조직 + 해외(대만·미국·캐나다 등)
- 판매법인/사무소: 미국, 중국, 싱가포르, 대만, 홍콩 등
2-2. 사업 포트폴리오
- 주력 메모리 반도체: DRAM(휘발성), NAND Flash(비휘발성), MCP(Multi-chip Package)
- CIS(CMOS Image Sensor): 2007년 진출 → 2025년 3월 AI 메모리 분야로 전환
- Foundry 서비스: 사업 추진 중
- 시스템 LSI: 진입 후 사업 전환
2-3. 주요 제품 및 매출 구성
제78기(2025) 사업부문별 매출 (연결, 반도체 부문 단일):
| 사업부문 | 매출유형 | 품목 | 구체적용도 | 주요상표 | 매출액(백만원) | 비율 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 반도체 | 제품 외 | DRAM, NAND Flash 등 | 산업용 전자기기 | SK하이닉스 | 97,146,675 | 100% |
한국표준산업분류상 '반도체 및 기타 전자 부품 제조업'에 해당하며, 반도체부문 매출액이 총매출액의 90%를 초과하여 단일 부문으로 표기.
2-4. 판매 경로 및 전략
- 판매 조직: 국내 GSM 영업 관할 + 해외(미국, 중국, 싱가포르, 대만, 홍콩) 판매법인 및 산하 대리점
- 판매 경로: 직판 거래 / 대리점 거래
- 판매 조건: 내수 = 현금·어음 결제, 수출 = MASTER L/C, LOCAL L/C, D/A, D/P
- 4대 판매 전략:
① 비즈니스 포트폴리오 최적화
② 수익 구조 개선 (고부가가치 제품 확대)
③ 고객 관계 유지 (특화 제품·고객만족)
④ 지역별 포지셔닝
2-5. 가격변동 추이 (2025년 시장)
2025년 메모리 시장은 AI 기술 확산으로 유례없는 성장을 기록:
- DRAM: 추론 중심 AI 서비스 고도화로 HBM 수요뿐 아니라 일반 DRAM 수요도 큰 폭 증가
- NAND: AI향 데이터센터에 필요한 고용량 기업용 SSD가 수요 증가 주도
3. 매출·수주·부문별 매출
3-1. 매출 실적 (연결 기준)
| 구분 | 제78기 (2025) | 제77기 (2024) | 제76기 (2023) |
|---|---|---|---|
| 매출액 (백만원) | 97,146,675 | 66,192,960 | 32,765,719 |
| 영업이익 (백만원) | 47,206,319 | 23,467,319 | (전기값은 결손부호 제거 후 기재) |
| 당기순이익 (백만원) | 42,947,902 | 19,796,902 | (적자기록) |
| 매출액 YoY | +46.8% | — | — |
| 영업이익 YoY | +101.2% | — | — |
| 당기순이익 YoY | +116.9% | — | — |
3-2. 매출 구성 (요약 연결 포괄손익계산서)
| 항목 | 제78기(2025) | 제77기(2024) | 제76기(2023) |
|---|---|---|---|
| 매출액 | 97,146,675 | 66,192,960 | 32,765,719 |
| 매출원가 | 38,455,885 | 34,364,814 | 33,299,167 |
| 매출총이익 | 58,690,790 | 31,828,146 | (533,448) |
| 판매비와관리비 | 11,484,471 | 8,360,827 | 7,196,865 |
| 영업이익 | 47,206,319 | 23,467,319 | (7,730,313) |
| 금융수익 | 16,373,480 | 4,855,082 | 2,261,801 |
| 금융비용 | 5,707,997 | 6,093,167 | (원문 일부 결손) |
| 지분법손익 | (564,553) | (38,245) | 15,061 |
| 기타영업외수익 | 333,277 | 1,476,579 | 623,867 |
| 기타영업외비용 | 377,973 | 167,388 | 735,065 |
| 법인세차감전순이익 | 50,465,552 | 23,885,350 | (11,657,816) |
| 법인세비용 | 7,517,650 | 4,088,448 | (2,520,269) |
| 당기순이익 | 42,947,902 | 19,796,902 | (9,137,547) |
2025년은 매출·영업이익·당기순이익 모두 창사 이래 최대 실적을 경신. 영업이익률 약 48.6%, 당기순이익률 약 44.2% 수준.
3-3. 수주상황
원문 기준, 당사는 주요 고객사와 월별/분기별 상호 합의에 따른 공급 물량 및 가격을 결정하고 있어 별도 수주잔고 표기 방식은 적용하지 않는 것으로 기술됨.
3-4. 시장점유율 (최근 3사업연도 기준)
원문에 표가 제시되어 있으나, 2025년 3분기·2분기·1분기·2024년 시장점유율 숫자 부분이 마스킹(결손) 상태로, 본 보고서에서는 정확한 수치 기재가 불가합니다(추정하지 않음).
출처 표기: DRAM — IDC 2025년 11월, NAND — IDC 2025년 12월 매출액 기준
3-5. 주요 매출처
- DRAM: 세계 유수의 모바일·컴퓨팅 관련 전자 업체
- NAND Flash: 글로벌 모바일 디바이스 및 IT 제품 제조업체, SSD·메모리카드 생산 업체
4. 원가·마진·R&D·인력
4-1. 생산능력 및 가동률
| 구분 | 제78기 (2025) | 제77기 (2024) | 제76기 (2023) |
|---|---|---|---|
| 누적 생산능력 (백만원) | 41,216,512 | 35,232,737 | 34,806,295 |
| 반도체 가동가능시간 (시간) | 267,670,560 | (원문 일부 결손) | (원문 일부 결손) |
| 평균가동률 | 100% | (원문 결손) | (원문 결손) |
- 교대: 4조 3교대 운영
- 2025년 누적 총 가동일: 365일
- 평균가동시간: 월 22,305,880시간
- 생산능력 산출식: "해당 연간 최대생산 일의 생산량 × 누적일수 × 평균원가"
4-2. 주요 원재료
| 매입유형 | 품목 | 투입액 (백만원) | 비율 | 비고 |
|---|---|---|---|---|
| 원재료 | WAFER | 1,024,285 | 7% | Fab |
| (기타) | Substrate | (원문 결손) | (원문 결손) | — |
원재료 조달:
- 웨이퍼: 일본·한국·독일·미국 소재 주요 공급사(300mm 웨이퍼 완제품). 글로벌 수급 동향에 가격 영향.
- Substrate: 한국·일본·중국 소재 9개사 공급. Customized 품목, 패키지 경박단소화로 제작 난이도 상승 추세.
- PCB: 한국·중화권(중국, 대만) 소재 6개사 공급. 동남아 생산 지역 다변화 진행 (미-중 무역분쟁 대응).
- 기타: 가스, 화학약품, 소자류
4-3. R&D 투자
| 과목 | 제78기 (2025) | 제77기 (2024) | 제76기 (2023) |
|---|---|---|---|
| 원재료비 | 114,739 | 104,687 | 100,174 |
| 인건비 | 2,718,918 | 2,306,121 | (원문 결손) |
| 연구개발비용 합계 | 6,732,527 | 4,954,447 | 4,188,404 |
| 연구개발비(비용) | 6,465,637 | 4,536,723 | 3,837,907 |
| 개발비(무형자산) | 266,890 | 417,724 | 350,497 |
| R&D / 매출액 비율 | 6.9% | 7.5% | 12.8% |
| 매출액 | (97,146,675) | (66,192,960) | (32,765,719) |
한국채택국제회계기준(K-IFRS) 연결 기준. 연구개발 조직: 선행기술연구소, 기반기술연구소, Solution개발연구소 등.
4-4. R&D 주요 실적 (요약)
① 모바일용 NAND
- 321단 1Tb TLC 적용 UFS 2.2/3.1, UFS 4.1 개발 (순차읽기 4,300MB/s, 전력효율 +7%, 두께 1mm → 0.85mm)
- ZUFS 4.1 (Zoned UFS, 업계 최초, 온디바이스 AI 최적화)
② SSD
- Automotive향 PCIe Gen4 SSD
- 데이터센터용 321단 1Tb TLC 적용 PCIe Gen5 SSD PEB210 E1.S
③ 서버용 CMM (CXL Memory Module)
- CMM-DDR5 96GB(24Gb D5, 2024.11) / 128GB(32Gb D5, 2025.03) 인증 완료 — 1세대 CXL 2.0+ Spec 대응 All Line-up
④ 모바일용 DRAM
- 1cnm 24Gb LPDDR5X (9.6Gbps, SOCAMM/LPCAMM Form Factor)
- 1anm 16Gb LPDDR5X 3rd (10.7Gbps, 양산 시작)
⑤ 서버용 DRAM
- 1bnm 32Gb DDR5 3DS(2Hi) — 128GB→256GB DDR5 DIMM 구현
- 1cnm 24Gb DDR5 (최대 9.2Gbps, Client → Server 확산)
⑥ 그래픽용 DRAM
- 1cnm 24Gb GDDR7 (40Gbps, AI Server 가속기 대응)
⑦ HBM
- 1bnm 24Gb HBM4 (세계 최초, 2,048 I/O, 대역폭 2배, 11Gbps 이상, Advanced MR-MUF 적용)
⑧ PC용 SSD
- PCB01: PCIe Gen5 SSD (연속읽기 14GB/s, 연속쓰기 12GB/s, 전력효율 +30%)
⑨ 321단 4D NAND
- 321단 1Tb TLC 양산 (생산성 +59%, 에너지 사용량 −10% vs 238단)
⑩ 서버용 eSSD
- PS1012: QLC 기반 61TB PCIe Gen5 SSD (32GT/s, 순차읽기 13GB/s, OCP 2.0)
⑪ LPDDR5T
- LPDDR5X 대비 13% 빠른 9.6Gbps, 1.01~1.12V 최저 전압
⑫ 12단 적층 HBM3
- 세계 최초 D램 12개 적층 24GB HBM3 (Advanced MR-MUF + TSV)
⑬ 1b 24Gb LPDDR5X 24GB 패키지
- 모바일 DRAM 최초 24GB, HKMG 공정, 68GB/s
⑭ ASPICE Level 2
- 차량용 Mobile UFS 한국 반도체 최초 ASPICE 레벨2 인증
4-5. 지식재산권
- 2025.12.31 기준 보유 권리: 총 21,859건
- 전문 전담조직이 출원/등록/사후관리/분쟁 대응 담당
- 특허 존속기간: 출원일로부터 20년 / 상표 존속기간: 등록일로부터 10년(갱신 가능)
5. 리스크·소송·규제·임상/허가
5-1. 시장위험
(1) 환율변동위험
- 외환 노출 통화: USD, EUR, CNY, JPY
- 당기말 외화자산·부채 (일부): USD 자산 149, 외화부채 251,626 (외화 백만단위), 원화환산액은 표 일부 결손
- USD 10% 변동 시 법인세비용차감전순이익 영향: ±1,210,371 백만원
- 환리스크 관리: 외환관리규정, 주관부서 집중관리, 자연적 헤지 + 선물환 등 외부 기법, USD 매출 90% 이상으로 USD 수입 우위 구조
- 환위험 회피: 통화스왑·통화이자율스왑 계약 체결 (신한은행 2024.03.07~2027.10.18)
(2) 이자율위험
- 100bp 변동 시 변동금리부 차입금·금융자산의 향후 1년 순이자비용 영향: ±41,875 백만원 (전기: 49,875 백만원)
(3) 가격위험
- 유동성관리·영업상 필요로 보유한 지분증권·채무증권이 가격위험 노출
5-2. 파생상품
(1) 통화스왑·이자율스왑
- 위험회피 대상: 고정금리외화사채(액면 USD 750,000)
- 파생금융부채 합계: 2,826 백만원
- 기타포괄손익→당기손익 재분류 금액: 11,254 백만원 (전기: 249,435 백만원)
(2) 내재파생상품
- 2023년 4월 11일 발행 교환사채의 교환권·콜옵션·풋옵션
- 파생금융부채: 4,911,677 백만원 (전기말: 1,738,962 백만원)
5-3. 규제사항
- 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 제11조: 국가 핵심기술 지정 시 해외 이전 시 산업통상자원부 승인 필요
- 국가첨단전략산업 경쟁력 강화 및 보호에 관한 특별조치법 제12조: 전략기술 반도체 해외 이전 시 신고 의무
- 기후위기 대응을 위한 탄소중립·녹색성장 기본법, 온실가스 배출권 할당 및 거래법: 2014.09.12 할당대상업체 지정, 2015년 배출권거래제 참여
- 2025년 예상 온실가스 배출량: 4,994,862 tCO2e
5-4. 환경 인증 및 대응
- ISO 45001(안전보건경영), ISO 14001(환경경영), KOSHA MS 인증 보유
- RE100 선언: 2020년 (2050년까지 글로벌 재생에너지 100% 사용 목표, 2030년 33% 중간 목표)
- CDP 명예의 전당 10년차 (국내 최초)
- ZWTL: 2021년 Gold / 2022년 Platinum / 2025년 Platinum 유지 (국내)
- 해외: 우시 2023 Platinum / 2025 재인증, 충칭 2024 Gold 유지
- 순환자원인증: 2023~2024년 18개 품목, 2025년 6개 품목 추가 인증 (총 24개)
- 친환경 제품 인증: 2025년 15종 메모리 제품 글로벌 카본트러스트 인증
- 태양광 직접 PPA: 2024.02 최초 체결
5-5. 리스크 요약
- AI 메모리 수요 변동성, 미-중 무역분쟁, 지정학적 리스크, 매크로 거시경제 악화
- 단기간 공급량 조절 어려운 장치산업 특성 → 수급 불균형으로 가격·공급 안정성 변동
- 환율·이자율·가격위험에 대한 파생상품 활용 관리
- 외화사채 및 교환사채의 내재파생상품 공정가치 변동
6. 자회사·관계사·투자
6-1. 주요 종속기업 (당기말 기준, 일부)
| 기업명 | 소재지 | 주요 영업활동 | 소유지분율 | 비고 |
|---|---|---|---|---|
| 에스케이하이이엔지㈜ | 국내 | 건설공사 및 서비스 | 100.00% | |
| 에스케이하이스텍㈜ | 국내 | 사업지원 및 서비스 | (원문 결손) | |
| 행복모아㈜ | 국내 | 반도체 의류 제조, 제빵 및 서비스 | (원문 결손) | |
| 에스케이하이닉스시스템아이씨㈜ | 국내 | 반도체 연구개발 및 서비스 | (원문 결손) | |
| 행복나래㈜ | 국내 | 산업자재 유통 | (원문 결손) | |
| SK hynix system ic | 대만 | 반도체 연구개발 | (원문 결손) | |
| SK APTECH Ltd. | 홍콩 | 해외투자법인 | (원문 결손) | |
| SK hynix America Inc. | 미국 | 반도체 판매 및 연구개발 | 97.48% | 전기 98.49% |
| SK hynix Semiconductor (Dalian) Co., Ltd. | 중국 | 반도체 제조 | (원문 결손) | 2021.05 설립 |
| 에스케이키파운드리㈜ | 폴란드/미국 | 반도체 판매 | (원문 결손) | 2025.03 인수 완료 |
| SK Keyfoundry America Inc. | — | — | — | |
| SK hynix (Wuxi) Investment Ltd. | — | 해외병원자산법인 | — | |
| SK hynix Happiness (Wuxi) Hospital Management Ltd. | — | 해외병원운영법인 | 70.00% | |
| SK hynix cleaning (Wuxi) Ltd. | — | 기업 건물 관리 등 | — | |
| SK hynix Semiconductor India Private Ltd. | 인도 | — | — | |
| SK hynix Asia Pte. Ltd. | — | — | — | |
| SK hynix NAND Product Solutions Corp. | — | 반도체 연구개발 및 판매 | — | 2021.02 설립 |
| SK hynix NAND Product Solutions Canada Ltd. | 캐나다 | — | — | (*1) |
| SK hynix NAND Product Solutions Mexico | 멕시코 | — | — | (*1) |
| SK hynix NAND Product Solutions UK Limited | 영국 | — | — | (*1) |
| SK hynix NAND Product Solutions (Beijing) Co., Ltd. | 중국 | — | — | (*1) |
| Intel NDTM US LLC | — | — | — | (*7) 2025 NAND 인수 2차 종결로 소유권 획득 |
| SK hynix Semiconductor (China) Ltd. | 중국 | — | — |
(1) 당기 중 종속기업 및 종속기업의 종업원이 주식선택권 행사 → 지분율 하락
(2) 당기 중 지분 취득으로 연결 편입
(3) 당기 중 지분매각으로 제외
(4) 당기 중 청산절차 진행 중
(5) 당기 중 SK hynix America Inc.로 보유 지분 이전
(6) 당기 중 청산절차 완료
(7) 당기 중 인텔 NAND 사업부문 인수 2차 종결로 소유권 획득
(8) Intel Semiconductor Storage Technology (Dalian) Ltd. → SK hynix semiconductor storage technology (Dalian) Co., Ltd.로 사명 변경
6-2. 연결 종속기업 수 변동
- 제78기(2025.12.31) 연결 종속기업 수: 60개사
- 종속기업 추가: 에스케이파워텍㈜ (지분 취득), SkyHigh Memory China Limited, SkyHigh Memory Limited Japan
- MMT 특정금전신탁은 연결에서 제외
6-3. 주요 종속기업 요약 재무상태 (당기말)
| 종속기업명 | 총자산 | 총부채 | 총자본 |
|---|---|---|---|
| (원문 표 일부) | 13,808,944 / 307,918 / (일부) | (다수 종속기업 집계치로 추정) |
6-4. 주요 종속기업 포괄손익 (당기/전기)
- 당기순손익 등 주요 항목 일부 수치만 원문 노출:
- 총자산 58,693,294 / 매출 33,458,964 / 당기순이익 2,706,318 등의 표 일부
- 전기: 235,926 / 104,908 (일부 항목)
6-5. 비지배지분
- 당기말·전기말 모두 연결회사에 대한 중요한 비지배지분 없음
6-6. 주요 계약
| 계약 상대방 | 계약 유형 | 체결일 / 기간 | 목적·내용 |
|---|---|---|---|
| Rambus Inc. | 라이선스 계약 | 2013.07.01~2034.06.30 | 반도체 전 제품 기술 관련 램버스 보유 특허 사용권 확보 |
| Intel Corporation | 영업양수도 | 2020.10.20 체결 / 2025.03.28 최종 종결 | 인텔의 NAND 사업 영업양수 |
6-7. 배당
- 원문상 배당에 관한 사항은 별도 상세 표기 미확인(원문 발췌에 포함되지 않음).
7. 전년 대비 핵심 변화 (Bullet)
7-1. 실적·재무 변화
- 매출액: 66조 1,930억원 → 97조 1,468억원 (+46.8%) — 창사 이래 최대 매출
- 영업이익: 23조 4,673억원 → 47조 2,063억원 (+101.2%) — 2배 이상 증가
- 당기순이익: 19조 7,969억원 → 42조 9,479억원 (+116.9%) — 적자(2023년)→흑자전환 후 2배 이상 증가
- 매출총이익: 31조 8,281억원 → 58조 6,908억원 (약 +84%)
- 금융수익: 4조 8,551억원 → 16조 3,735억원 (약 +237%)
- 기본주당순이익: 25,613원 → 61,711원
7-2. 사업·전략 변화
- CIS 사업부문 → AI 메모리 분야 전환 (2025.03)
- 키파운드리 인수 완료 (2021.12 결정 → 2025.03 인수 완료)
- 인텔 NAND 사업부문 인수 최종 종결 (2025.03.28)
- HBM4 세계 최초 양산 체제 구축 (2025.09)
- 321단 1Tb TLC / 2Tb QLC 4D NAND 개발·양산 (2025.05/08)
- ZUFS 4.1 모바일 낸드 세계 최초 양산 (2025.09)
- 고방열 모바일 D램 세계 최초 개발 (2025.09)
- 1cnm 24Gb GDDR7 개발 완료 (그래픽/AI 가속기)
- CMM-DDR5 128GB 인증 완료 (1세대 CXL 2.0+ Line-up 완성)
- HBM3E 12단 판매 대폭 확대 → HBM 매출 2배 이상 확대
- DDR5 256GB 모듈 개발 → 서버용 모듈 리더십
- 2025년 ZWTL Platinum 등급 유지, 15종 제품 글로벌 카본트러스트 인증
7-3. 거버넌스·경영 변화
- 2024.03 이사 6인 선임: 안현(사내), 손현철·양동훈(사외), 장용호(기타비상무), 곽노정(사내), 한명진(기타비상무)
- 양동훈 사외이사가 감사위원회 위원으로 선임
7-4. R&D·인증 변화
- R&D 비용: 4조 9,544억원 → 6조 7,325억원 (+35.9%)
- R&D/매출 비율: 7.5% → 6.9% (매출 증가 효과로 비율은 소폭 하락)
- 메모리 업계 최초 글로벌 자동차산업 정보 보안 인증 TISAX (2024.06) — 직전 사업연도 성취
- 차세대 모바일 낸드 ZUFS 4.0 개발 (2024.05)
- 메모리 업계 최초 ASPICE 레벨2 차량용 Mobile UFS 인증
7-5. 환경·ESG 변화
- 2025년 예상 온실가스: 4,994,862 tCO2e
- 태양광 직접 PPA 최초 체결 (2024.02) — RE100 이행 기반 확대
- 2025년 6개 품목 추가 순환자원 인증 (누적 24개)
- 2025년 15종 메모리 제품 글로벌 친환경 인증 (2025.11)
8. 추가 참고 사항 (회사 일반)
8-1. 기본 회계정책
- 결산기준일: 12월 31일
- 회계기준: 한국채택국제회계기준(K-IFRS, 연결 기준)
- 재무제표 작성 기초: 역사적 원가 (파생상품, 당기손익-공정가치 금융자산, 기타포괄손익-공정가치, 확정급여부채, 현금결제형 주식기준보상 부채는 공정가치)
- 영업부문: 단일 반도체 부문 (이사회가 최고영업의사결정권자, 구분된 재무정보 미보고)
- 재고자산 원가 결정: 가중평균법(미착품은 개별법), 고정제조간접원가는 정상조업도 기준 배부
- 리스: 일부 단기·소액 기초자산 리스에 사용권자산·리스부채 미인식 실무적 간편법 적용
- 퇴직급여: 확정급여제도, 예측단위적립방식, 독립계리사 연 1회 평가
8-2. 신규 적용 / 미적용 회계기준
- 2025.01.01 신규 적용:
- K-IFRS 제1021호, 제1101호 개정 (결여통화 환율 추정)
- K-IFRS 제1117호 보험계약 개정
- 미적용 (시행일 미도래):
- K-IFRS 제1109·제1107 개정 (2026.01.01~) — 전자지급시스템 통한 부채 제거, 자기사용 예외 명확화 등
- K-IFRS 연차개선 Volume 11 (2026.01.01~)
- K-IFRS 제1118호 '재무제표 표시와 공시' (2027.01.01~) — 손익계산서 항목 재분류, 영업손익 표시 방식 변경, 현금흐름표 이자 표시 변경, 영업권 별도 표시 등 잠재 영향
8-3. 연결 주요 종속기업 변동 요약
- 에스케이파워텍㈜, SkyHigh Memory China Limited, SkyHigh Memory Limited Japan 종속기업 추가 (지분 취득 등)
- 일부 종속기업 지분율 변동(직원 주식선택권 행사), 청산 진행/완료, 인텔 NAND 인수 2차 종결에 따른 소유권 획득 등 다수 변동
8-4. 영업개황 종합
2025년 메모리 시장은 AI 기술의 전방위적 확산이 AI 메모리 수요 증가를 촉진하며 급격한 성장세를 보였습니다. 당사는 업계 선두의 AI 메모리 제품 판매를 대폭 확대하고 수익성 중심의 제품 운영 전략으로 시황 변화에 맞춰 적시에 투자를 진행한 결과, 2025년 연결 기준 매출 97.1조원, 영업이익 47.2조원으로 매출·영업이익 모두 창사 이래 최대 실적을 경신.
- DRAM: 최고 수준 성능·원가 경쟁력 확보한 고용량 DDR5 본격 양산, 업계 최대 용량 256GB DDR5 개발로 서버 모듈 리더십 입증, HBM3E 12단 판매 대폭 확대(연간 HBM 매출 2배 이상), 2025.03 업계 최초 HBM4 샘플 공급, 2025.09 업계 최초 양산 체계 구축
- NAND: 상반기 수요 부진 속 321단 QLC 개발 완료로 기술 경쟁력 강화, 하반기 기업용 SSD 중심 수요 회복에 대응하여 연간 최대 매출 기록
- CIS: AI 메모리 분야로 전환 결정
⚠️ 원문 결손·마스킹 안내
다음 항목들은 원문 발췌에서 표 또는 숫자가 가려진(결손/마스킹) 상태로, 공시 원문에 근거하여 정확한 수치를 특정할 수 없어 본 보고서에서는 추정하지 않고 그대로 두었습니다:
- 신용등급 실제 부여 내역 (평가기관, 현등급, 최종평가일 표)
- 자본금 변동현황 표 (주식 수·금액 일부)
- 사업목적 변경/추가 표 (일부 행)
- 생산능력 표 (제76·77기 가동시간/가동률), 평균가동률 실제 수치 일부
- 시장점유율 표 (2025년 3분기·2분기·1분기·2024년 수치 전체)
- 외화자산·부채 표 (일부 통화)
- 이자율 100bp 변동 영향 (전기) — 본문에 49,875백만원 명시
- R&D 인건비 (제76기), 일부 매출원가·금융비용 제76기 값
- 주요 종속기업 요약 재무상태/포괄손익 표 (일부 수치)
- 배당에 관한 사항 (배당성향·배당률 등 원문 발췌 미포함)
상기 항목들은 SK하이닉스 DART 전자공시 시스템 원본(접수번호 20260317000635)을 통해 보완 열람이 가능합니다. 본 분석은 제공된 발췌 원문에만 근거하여 작성되었습니다.